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公司介绍-深圳市大芯超导有限公司
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深圳市大芯超导有限公司0

Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,ON安...

公司信息

深圳市大芯超导有限公司
会员级别:未认证
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所在地址:深圳市宝安区德至高科技园
联系电话: 未认证电话  我要认证
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成立时间:2012
主营行业:Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,ON安森美碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代,英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代,英飞凌混合SiC三电平替代,Vincotech三电平IGBT模块国产替代,ON安森三电平IGBT模块国产替代,I型NPC1三电平IGBT模块,T型NPC2三电平IGBT模块,英飞凌IGBT模块国产替代

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    大芯超导有限公司元器件专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半导体碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块,BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC 混合IGBT单管,BASiC 混合IGBT模块,BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源,能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器,变换效率高,储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域,医疗电源,X射线高压电源,大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器,实现直流升压降压转换,储能PCS-Buck-Boost电路,高压侧接入PV直流侧,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑,低压侧接电池组。基本半导体混合SiC功率模... [详细介绍]
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