意法半导体的PWD5F60高密度功率驱动器是一款集成式系统级封装(SiP),适用于高压有刷直流和单相无刷电机.下面一起来阅读本文,对相关知识进行了解.

它在15mmx7mm的封装里集成了600V/3.5A单相MOSFET桥、栅极驱动器、自举二极管、保护功能和两个比较器.用户可以选择将MOSFET配置为单个全桥或两个半桥.

与由分立元件组成的等效电路相比,PWD5F60的散热效率更高的封装占用的电路板空间减少了60%.使用SiP代替分立元件可提供更高的可靠性并简化电路设计和组装过程.

PWD5F60的集成N沟道MOSFET具有1.38Ω的导通电阻,在处理中等功率负载时可以高效运行.栅极驱动器提供可靠的开关和低EMI.集成的自举二极管可实现高压启动,无需外部二极管和无源元件来为高边输入供电.

两个独立的比较器可轻松实现峰值电流控制或过流和过温保护功能.通过将峰值电流控制与霍尔效应位置传感器相结合,设计人员可以将PWD5F60变为独立控制器,无需MCU.

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