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第三代半导体功率器件参数检测,MOSFET,IGBT,BJT-广电计量

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第三代半导体功率器件参数检测,MOSFET,IGBT,BJT-广电计量

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所在地: 广东 广州市
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最后更新: 2021-11-20 02:35
浏览次数: 185
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第三代半导体功率器件参数检测,MOSFET,IGBT,BJT-广电计量 详细说明

广电计量可以做AEC-Q-100认证报告,AEC-Q-101认证报告,AEC-Q-102认证报告, AEC-Q-104认证报告,AEC-Q-200认证报告,元器件筛选,破坏性物理分析,NVH测试

 

广州广电计量检测股份有限公司(股票简称:广电计量,股票代码:002967)始建于1964,是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平.

广电计量积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展.

测试周期:

根据标准、试验条件及被测样品量确定

 

服务内容:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测.

产品范围:

MOSFETIGBTDIODEBJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

 

测试项目:

静态参数

符号

Drain to Source   Breakdown Voltage

BVDSS

Drain Leakage   Current

IDSS

Gate Leakage   Current

IGSS

Gate Threshold   Voltage

VGS(th)

Drain to Source On   Resistance

RDS(on)

Drain to Source On   Voltage

VDS(on)

Body Diode Forward   Voltage

VSD

Internal Gate   Resistance

Rg

Input caPACitance

Cies

Output capacitance

Coes

Reverse transfer   capacitance

Cres

Transconductance

gfs

Gate to Source   Plateau Voltage

Vgs(pl)

动态参数

符号

Turn-on delay time

td(on)

Rise time

tr

Turn-off delay time

td(off)

Fall time

tf

Turn-on energy

Eon

Turn-off energy

Eoff

Diode reverse   recovery time

trr

Diode reverse   recovery charge

Qrr

Diode peak reverse   recovery current

Irrm

Diode peak rate of   fall of reverse

recovery current

dirr/dt

Total gate charge

QG

Gate-Emitter charge

QGC

Gate-Collector   charge

QGE

-参数

符号

thermal resistance

Rth

Unclamped Inductive   Switching

UIS

Reverse biased safe   operating area

RBSOA

Short circuit safe   operation area

SCSOA

 



第三代半导体功率器件参数检测,MOSFET,IGBT,BJT-广电计量是广州广电计量检测股份有限公司的主要产品,我们的产品负责人是詹俊强,我们的地址是广州市天河区黄埔大道西平云路163号詹生13726258929,期待与您的合作!
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公司信息

企业级别:未认证  我要认证

联 系 人:詹俊强(先生) 

公司电话: 未认证电话  我要认证

所在地区:广东-广州市

公司地址:广州市天河区黄埔大道西平云路163号詹生13726258929

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