Proprietary New Trench Technology
Ultra-low Miller Charge
N MOS RDS(ON),typ.=18mΩ@VGS=10V
P MOS RDS(ON),typ.=30mΩ@VGS=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
双MOS固态继电器YPN是厦门晟鑫源科技有限公司的主要产品,我们的产品负责人是王岩,我们的地址是厦门市湖里区金山西路86号,期待与您的合作!